STMicroelectronics STD1NK60-1
$ 0.446
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -24.48%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STD1NK60-1.
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STD1NK60-1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTU1HN60K3
N-channel 600 V, 6.4 Ohm typ., 1.2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
STMicroelectronicsSTD2NK60Z-1
N-channel 600 V, 7.2 Ohm, 1.4 A Zener-protected SuperMESH(TM) MOSFET in a IPAK package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD1NK60-1 fornite dai suoi distributori.
STD1NK60-1 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1 A, 600 V, 3-PIN TO-252
N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in IPAK package
Ciiva
N-CHANNEL 600V-8 OHM-1A IPAK SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, N CH, 600V, 1A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:1A; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:30W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -24.48%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance8.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance156 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max8.5 Ω
Rise Time5 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time6.5 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STD1NK60-1.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant