onsemi FQB34P10TM-F085
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Price @ 1000
$ 1.35
Stock
154,801
417,336
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-100 V
-100 V
Continuous Drain Current (ID)
33.5 A
33.5 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
60 mΩ
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
Power Dissipation
3.75 W
3.75 W
Input Capacitance
2.91 nF
2.91 nF
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-03-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2022-10-21
LTD Date2023-10-21
Parti correlate
onsemiFQB33N10TM
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
InfineonIRF5210STRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 60 Milliohms;ID -38A;D2Pak;PD 170W;-55degc
InfineonIRF5210SPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 60 Milliohms;ID -38A;D2Pak;PD 170W;-55degc
STMicroelectronicsSTB30NF10T4
N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQB34P10TM-F085 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Single P-Channel 100 V 0.06 Ohm 110 nC 3.75 W DMOS SMT Mosfet - TO-263-3
Power Field-Effect Transistor, 33.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild´s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as audio amplifier, high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)33.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time210 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.91 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation155 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max60 mΩ
Rise Time250 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità