onsemi FDP120N10
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Tendenza a 3 mesi: +1336%
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonIPP086N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonIPP12CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 N-Channel 100 V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonIPP114N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3 N-Channel 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
STMicroelectronicsSTP78N75F4
N-channel 75 V, 0.008 Ω, 78 A TO-220, DPAK STripFET™2; DeepGATE™2; Power MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDP120N10 fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 74A, 12mΩ
100 V, 74 A, 12 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
170W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 86nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 12mΩ@ 74A,10V 74A 5.605nF@25V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
MOSFET, N CH, 100V, 74A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:74A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0097ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:170W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:296A
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +1336%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)74 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.605 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation170 W
Rds On Max12 mΩ
Resistance12 MΩ
Rise Time105 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità