onsemi FDMS86322

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 80V, 60A, 7.65mΩ
$ 1.27
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
Verical
4
FDMS8632214536
Arrow ElectronicsFDMS8632214531
Rochester ElectronicsFDMS863227021
3h
DigiKey
3
FDMS86322CT-ND41441Cut Tape
NewarkFDMS8632203KTape & Reel

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDMS86322.

Upverter

Technical Drawing1 pagina4 anni fa

Master Electronics

IHS

element14 APAC

onsemi

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-23.72%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo onsemi FDMS86322, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
Impronta
Scarica
Ultra Librarian
SimboloImpronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-10-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Parti correlate

onsemiFDMS86101
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 60A, 8mΩ
Dettagli
onsemiFDMS86104
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 16A, 24mΩ
Dettagli
VishaySI7478DP-T1-E3
Single N-Channel 60 V 0.0075 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Dettagli
onsemiFDMC8622
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 100V, 16A, 56mΩ
Dettagli
VishaySUD23N06-31-GE3
Mosfet; Power; N-ch; Vdss 60V; Rds(on) 0.025 Ohm; Id 25A; TO-252; Pd 50W; Vgs +/-20V; -55
Dettagli
STMicroelectronicsSTD12NF06T4
N-Channel 60V - 0.08Ohm - 12A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di onsemi FDMS86322 fornite dai suoi distributori.

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 80V, 60A, 7.65mΩ
onsemi
N-Channel 80 V 13A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 80V, 0.00765ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
IHS
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process thant has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Fairchild Semiconductor
MOSFET, N CH, 80V, 60A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0061ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.9V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Farnell

Immagini

RS
Farnell
element14 APAC
element14 APAC
Future Electronics
LZChips

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • FDMS86322.