onsemi FDMS86252L
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +96.29%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-09-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonIRF7815PBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO N-Channel 150 V 5.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMS86252L fornite dai suoi distributori.
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150V, 12A, 56mΩ
FDMS86252L Series 150 V 12 A 56 mOhm N-Ch PowerTrench Mosfet - Power56
MOSFET, N-CH, 150V, 12A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Source Voltage Vds:150V; On Resistance
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +96.29%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight74 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance56 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.335 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max56 mΩ
Rise Time1.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time6.8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width5.85 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità