onsemi FDMC610P
$ 1.288
Production
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.98%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-11-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTL100N1VH5
N-channel 12 V, 0.0022 Ohm typ., 25 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
VishaySIR492DP-T1-GE3
Single N-Channel 12 V 4.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
VishaySI7102DN-T1-GE3
Single N-Channel 12 V 0.0038 O 110 nC SMT Power Mosfet - PowerPAK-1206-8
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMC610P fornite dai suoi distributori.
P-Channel PowerTrench MOSFET - 8LD,PQFN,DUAL,JEDEC MO-240 BA,3.3X3.3MM,SINGLE TIED DAP
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 12V, 0.0039ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
MOSFET, P-CH, -12V, -80A, POWER 33-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-80A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs
This P-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.98%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight32.13 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance3.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time87 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation48 W
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time37 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time193 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height1.15 mm
Length3.4 mm
Width3.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità