onsemi FDD8876
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EOL
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +87.13%
Modelli CAD
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0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2024-01-03
LTD Date2024-07-03
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Parti correlate
InfineonIRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK N-Channel 30 V 86A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
InfineonIRLR8726PBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK N-Channel 30 V 86A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
InfineonIRLR8726TRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 86A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDD8876 fornite dai suoi distributori.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 73A, 8.2mΩ
Transistor, mosfet, n-Channel,30V V(Br)Dss,15A I(D),to-252Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDD8876
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
70W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 47nC@ 10V 1individualNChannel 30V 8.2mΩ@ 35A,10V 15A，73A 1.7nF@15V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +87.13%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating73 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max8.2 mΩ
Rise Time91 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.517 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità