onsemi FDD850N10L
$ 0.476
EOL
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FDD850N10L | 120 | 13h | |||||||||
| Newark | FDD850N10L | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | FDD850N10L | 0 | 2500 | 15h | ||||||||
| Farnell | FDD850N10L | 0 | 2500 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Microchip USA | FDD850N10L | 254 | 600 | 6h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -77.01%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDD850N10L.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Parti correlate
VishayIRFR110PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDD850N10L fornite dai suoi distributori.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V, 15.7A, 75mΩ
Single N-Channel 100 V 96 mOhm 16 nC 50 W PowerTrench SMT Mosfet - TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 15.7A I(D), 100V, 0.096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -77.01%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance96 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.465 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max75 mΩ
Rise Time21 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDD850N10L.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità