Vishay IRFR110PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
$ 0.349
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Schede tecniche e documenti

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Newark

Datasheet13 pagine4 anni fa
Datasheet11 pagine14 anni fa
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Datasheet11 pagine11 anni fa

element14 APAC

element14

RS (Formerly Allied Electronics)

Farnell

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Single N-Channel 100 V 0.54 Ohm 8.3 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V , 5.5 A, 104 mΩ
onsemiFQD5P10TM
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -100 V, -3.6 A, 1.05 Ω, DPAK

Descrizioni

Descrizioni di Vishay IRFR110PBF fornite dai suoi distributori.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; 0.54ohm; 25W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
N CHANNEL MOSFET, 100V, 4.3A, D-PAK; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:4.3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V RoHS Compliant: No
MOSFET, N, 100V, 4.3A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):540mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:4.3A; Current Temperature:25°C; External Depth:10.5mm; External Length / Height:2.55mm; External Width:6.8mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:5°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:25W; Pulse Current Idm:17A; SMD Marking:IRFR110; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFR110PBF.