Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDB8878.
Parti correlate
InfineonIRL3715SPBF
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK / N-Channel 20 V 54A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount D2PAK
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDB8878 fornite dai suoi distributori.
30V,48A, 14 OHM NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
TRANS MOSFET N-CH 30V 48A 3PIN TO-263AB
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)48 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.235 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation47.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation47.3 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time244 ns
Turn-Off Delay Time14.8 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDB8878.