onsemi FDB8860-F085
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.861
Stock
41,312
3,216,704
Authorized Distributors
0
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
31 A
31 A
Threshold Voltage
-
1.7 V
Rds On Max
2.3 mΩ
2.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
254 W
254 W
Input Capacitance
12.585 nF
12.585 nF
Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
VishaySUM90N03-2M2P-E3
SUM90N03-2M2P-E3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 90 A, 30 V, 2+TAB-PIN TO-263
InfineonIRLS3813TRLPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRF2903ZSTRLP
Trans MOSFET N-CH Si 30V 260A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / HEXFET Power MOSFET
InfineonAUIRF2903ZS
Automotive Q101 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDB8860-F085 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 30V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 80A, 2.6mΩ
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Nmos D2Pak 30V 2.3 Mohm / Reel
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time49 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12.585 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation254 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation254 W
Rds On Max2.3 mΩ
Rise Time213 ns
Turn-Off Delay Time79 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDB8860-F085.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità