onsemi FCD3400N80Z
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +32.13%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonIPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 / N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
InfineonSPD02N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3 N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
InfineonIPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FCD3400N80Z fornite dai suoi distributori.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 2 A, 3.4 Ω, DPAK
32W(Tc) 20V 4.5V@ 200µA 9.6nC@ 10 V 1individualNChannel 800V 3.4Ω@ 1A,10V 2A 400pF@100V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Lighting, ATX power and industrial power applications.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +32.13%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance3.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance400 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation32 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation32 W
Rds On Max3.4 Ω
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22.7 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FCD3400N80Z.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità