onsemi ATP405-TL-H
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-10-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
NXP SemiconductorsBUK7526-100B,127
Trans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
NXP SemiconductorsBUK7528-100A,127
Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
VishaySQM47N10-24L-GE3
SQM47N10-24L-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 47 A, 100 V, 2+TAB-PIN TO-263
STMicroelectronicsSTL40N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 10 A STripFET F7 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package
Descrizioni
Descrizioni di onsemi ATP405-TL-H fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, N-Channel, 100V, 40A, 33mΩ
Single N-Channel 100 V 33 mOhm 68 nC 70 W Silicon Mosfet - ATPAK-3
Trans MOSFET N-CH Si 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
70W(Tc) 20V 68nC@ 10 V 1N 100V 33m¦¸@ 20A,10V 40A 4nF@20V ATPAK-3 6.5mm*7.3mm*1.5mm
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 100V, 40A, ATPAK; Transistor Polarity:N; Max Current Id:40A; Max Voltage Vds:100V; On State Resistance:25mohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Power Dissipation:70W; Transistor Case Style:ATPAK; No. of Pins:3; Termination Type:SMD
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance33 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time150 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage100 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max33 mΩ
Resistance33 mΩ
Rise Time125 ns
Turn-Off Delay Time220 ns
Turn-On Delay Time38 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità