Vishay SQM47N10-24L-GE3
$ 1.746
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 742-SQM47N10-24L_GE3CT-ND | 20 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SQM47N10-24L-GE3 | 0 | 800 | 21h | ||||||||
| Farnell | SQM47N10-24L-GE3 | 0 | 1 | 18h | ||||||||
| Mouser | 78-SQM47N10-24L_GE3 | 399 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | SQM47N10-24L_GE3 | 441 | 150 | 15h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-12-20
LTD Date2025-06-20
Parti correlate
InfineonAUIRF3710ZS
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SQM47N10-24L-GE3 fornite dai suoi distributori.
SQM47N10-24L-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 47 A, 100 V, 2+TAB-PIN TO-263
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S) 175 DEGREE CELSIUS MOSFET Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET,N CH,W DIODE,100V,47A,TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:136W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Voltage Vgs Max:20V
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)47 A
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.62 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation136 W
Rds On Max24 mΩ
Rise Time6 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità