Nexperia BC857,215
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Stock
4,684,063
3,904,693
Authorized Distributors
6
4
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
-
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
hFE Min
125
125
Power Dissipation
250 mW
250 mW
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Parti correlate
Diodes Inc.BC857A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.BC857C-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia BC857,215 fornite dai suoi distributori.
Bipolar Junction Transistors - BJT; NEXPERIA; BC857, 215; PNP; 3; -45 V; -100 mA
BC857 Series 45 V 100 mA Surface Mount PNP General Purpose Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
100 mA 45 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
General Purpose Transistors 50V 100mA PNP SOT23 125~800
TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23 , REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:125; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min125
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità