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Infineon IRL2910STRLPBF

Single N-Channel 100 V 0.026 Ohm 140 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 0.985
NRND
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Avnet
IRL2910STRLPBF
800
800
USD
0,882
0,828
15h
Newark
2
IRL2910STRLPBF
1
1
Cut Tape
USD
3,330
3,330
1,690
1,590
1,520
Future Electronics
2
IRL2910STRLPBF
24.000
800
Tape & Reel
USD
0,985
0,940
Arrow Electronics
2
IRL2910STRLPBF
771
1
USD
2,767
1,915
1,344
1,344
1,344
DigiKey
3
IRL2910STRLPBFCT-ND
4690
1
Cut Tape
USD
3,020
1,956
1,347
1,347
1,347

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRL2910STRLPBF.

IHS

Datasheet12 pagine22 anni fa

element14 APAC

Newark

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-12.76%
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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-04-30
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

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Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRL2910STRLPBF fornite dai suoi distributori.

Single N-Channel 100 V 0.026 Ohm 140 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Avnet
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Infineon N-Ch HEXFET MOSFET, Vds=100V 55A D2PAK (TO-263) SMD 3-Pin
UnikeyIC
MOSFET, 100V, 55A, 26 MOHM, 93.3 NC QG,LOGIC LEVEL, D2-PAK
RS (Formerly Allied Electronics)
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 100V, 55A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 55A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Po
Farnell
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:55A; On Resistance, Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Package/Case:D2-Pak; Power Dissipation, Pd:200W ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 55 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 26 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 55 / Rise Time ns = 100 / Turn-OFF Delay Time ns = 49 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 200
Distrelec

Immagini

Infineon
Newark
TME
RS APAC
Newark
Micros
Future Electronics
RS (Formerly Allied Electronics)
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFIRL2910STRLPBF
  • SP001571800