Infineon IRG4RC10UDTRLP
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$ 0.713
Stock
25,167
14,063
Authorized Distributors
2
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
600 V
Max Collector Current
8.5 A
8.5 A
Power Dissipation
38 W
38 W
Collector Emitter Saturation Voltage
2.6 V
2.61 V
Reverse Recovery Time
28 ns
28 ns
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-30
LTD Date2018-12-31
Parti correlate
InfineonIRG4RC10KDTRPBF
IRG4RC10K Series 600 V 9 A Surface Mount UltraFast Speed IGBT - TO-252AA
InfineonIRG4RC10KDPBF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | IGBT 600V 9A 38W DPAK
onsemiSGR6N60UFTM
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.6V @ 15V 3A 6A 30W 15ns/60ns
onsemiSGR6N60UFTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.6V @ 15V 3A 6A 30W 15ns/60ns
STMicroelectronicsSTGD3NB60FT4
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRG4RC10UDTRLP fornite dai suoi distributori.
Tape & Reel (TR) Surface Mount ROHS3Compliant IGBT Transistor 2.6V @ 15V 5A 8.5A 38W 28ns
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a D-Pak package
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
IGBT UFAST 600V 8.5A COPACK DPAK
Target Applications: Lighting HID; Solar
IGBT, COPAK, D-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:8.5A; Voltage, Vce Sat Max:2.15V; Power Dissipation:38W; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Alternate Case Style:TO-252; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:34A; Power, Pd:38W; Time, Rise:16ns
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight350.003213 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current8.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation38 W
Reverse Recovery Time28 ns
Rise Time16 ns
TerminationSMD/SMT
Schede tecniche e documenti
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