Infineon IRFS7762PBF
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Stock
38,779
54,670
Authorized Distributors
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
85 A
85 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6.7 mΩ
6.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
4.44 nF
4.44 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Parti correlate
InfineonIRFS7762TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK / N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIRFS7540TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
onsemiHUF75345S3S
75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFS7762PBF fornite dai suoi distributori.
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Brushed motor drive applications | MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK
Trench MOSFET, 75V, 104A, 6.3 Ohm, 88 nC, D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 75V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability; Lead-Free, RoHS Compliant; StrongIRFET
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)85 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance6.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.44 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.7 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation140 W
Rds On Max6.7 mΩ
Rise Time49 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time57 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità