Infineon IRFS3306TRLPBF
$ 1.29
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Tendenza a 3 mesi: +12.00%
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Parti alternative
1 parte disponibile
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 1.29
$ 1.65
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Stock
435,411
103,417
103,417
Authorized Distributors
6
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
120 A
Threshold Voltage
4 V
-
-
Rds On Max
4.2 mΩ
4.2 mΩ
4.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
230 W
230 W
230 W
Input Capacitance
4.52 nF
4.52 nF
4.52 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIRF2805SPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRF1405ZS
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB140NF75T4
STB140NF75T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 75 V, 3-PIN D2PAK
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFS3306TRLPBF fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60V 4.2 mOhm 85 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 230W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Tendenza a 3 mesi: +12.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time77 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.52 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.2 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation230 W
Rds On Max4.2 mΩ
Rise Time46 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità