Infineon IRFS3107-7PPBF

Single N-Channel 75 V 2.6 mOhm 240 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
$ 9.27
Obsolete
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet10 pagine12 anni fa
Datasheet9 pagine12 anni fa

element14 APAC

iiiC

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 9.27
$ 4.288
Stock
113,714
44,881
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
240 A
240 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
2.6 mΩ
2.6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
370 W
370 W
Input Capacitance
9.2 nF
9.2 nF

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

N CH POWER MOSFET. HEXFET, 75V, 260A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Single N-Channel 60 V 2.1 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 240A, 2.2mΩ
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 270A, 1.7mΩ

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRFS3107-7PPBF fornite dai suoi distributori.

Single N-Channel 75 V 2.6 mOhm 240 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK-7 Polarity: N Power dissipation: 370 W
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
MOSFET, 75V, 260A, 2.6 MOHM, 160 NC QG,D2PAK-7
Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 75V, 0.0026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
MOSFET, N-CH, 75V, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:260A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):2.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:370W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:9200pF; Current Id Max:260A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:370W; Power Dissipation Pd:370W; Pulse Current Idm:1060A; Reverse Recovery Time trr Typ:52ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFS 3107-7PPBF
  • IRFS31077PPBF
  • SP001565058