Infineon IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
$ 1.88
Obsolete
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet11 pagine17 anni fa
Datasheet12 pagine17 anni fa

RS (Formerly Allied Electronics)

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-33.13%

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Parti alternative

Price @ 1000
$ 1.88
$ 2.58
$ 2.58
Stock
204,556
108,878
108,878
Authorized Distributors
4
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-252-3
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
195 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
1.75 mΩ
1.75 mΩ
1.75 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
380 W
380 W
380 W
Input Capacitance
9.2 nF
9.2 nF
9.2 nF

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Parti correlate

InfineonIRLS3034PBF
Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 108 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 195 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 306A, 1.6mΩ
InfineonAUIRF2804S
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Trans MOSFET N-CH 40V 219A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTB270N4F3
Automotive-grade N-channel 40 V, 1.6 mOhm typ., 160 A STripFET F3 PowerMOSFET in D2PAK package

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRFS3004TRLPBF fornite dai suoi distributori.

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 380 W 240 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-263-3
MOSFET, 40V, 195A, 1.7 MOHM, 160 NC QG,D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:195mA; Drain Source Voltage, Vds:40V; On Resistance, Rds(on):1.4mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2V; Power Dissipation, Pd:380W ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SP001557246