STMicroelectronics STB270N4F3
$ 1.838
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-7944-1-ND | 1286 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB270N4F3-STM-0 | 1000 | 1K | 10h | ||||||||
| Avnet | STB270N4F3 | 0 | 1K | 15h | ||||||||
| Future Electronics | STB270N4F3 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STB270N4F3 | 0 | 1K |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +12.74%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STB270N4F3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti correlate
InfineonAUIRF2804S
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRF2804STRL
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRLS3034TRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 195 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTB100NF04T4
N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB200NF04T4
STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB270N4F3 fornite dai suoi distributori.
Automotive-grade N-channel 40 V, 1.6 mOhm typ., 160 A STripFET F3 PowerMOSFET in D2PAK package
Mosfet Transistor, N Channel, 160 A, 40 V, 2.5 Mohm, 10 V, 4 V |Stmicroelectronics STB270N4F3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 160 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 160A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +12.74%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation330 W
Rds On Max2.5 mΩ
Resistance2 MΩ
Rise Time180 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant