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Infineon IRF7907PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; ID 9.1 A (Control FET), 11 A (Synchronous FET); SO-8
Obsolete
Scheda dati
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Prezzi all'ingrosso
RS (Formerly Allied Electronics)
IRF7907PBF
0
3800
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USD
1,313
15h
Win Source
WS-IRF7907PBF
4406
150
USD
0,258
0,224
3h
Worldway Electronics
IRF7907PBF
3408
7
Bulk
USD
0,196
0,192
0,185
0,181
2h
ICPartonline
IRF7907PBF
13.905
USD
0,494
0,469
0,444
0,419
0,395
>1wk
Anlinkda
IRF7907PBF
73.338
USD
0,288
0,258
0,216
0,216
0,206
1d

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF7907PBF.

IHS

Datasheet10 pagine17 anni fa
Datasheet11 pagine17 anni fa

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

Modelli CAD

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

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N-Channel Power Trench® MOSFET, Logic Level, 30V, 11A, 12.5mΩ
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRF7907PBF fornite dai suoi distributori.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;ID 9.1 A (Control FET), 11 A (Synchronous FET);SO-8
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
Avnet
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0118ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Low Thermal resistance to PCB; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Very Low Gate Charge; Dual N-Channel MOSFET
Infineon
MOSFET, NN; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:11A; Resistance, Rds On:11.8mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.8V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:9.1A; Current, Id Cont N Channel 3:11A; Resistance, Rds on N Channel 1:13.7ohm; Resistance, Rds on N Channel 2:9.8ohm
Farnell
MOSFET,NN CH,30V,9.1A,SO8; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:11A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):9.8mohm; Power Dissipation Pd:2W
element14 APAC

Immagini

Infineon
element14
DKO Electronshik
TME
Distrelec
RS (Formerly Allied Electronics)
Farnell
International Rectifier
iiiC

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • 7907PBF
  • IRF7907 PBF
  • IRF7907PBF.
  • SP001572250