Infineon IRF7469TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 40V; Rds(on) 12 Milliohms; Id 9A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V
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IRF7469TRPBF12.0004K
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IRF7469TRPBF11841Cut Tape
Rochester ElectronicsIRF7469TRPBF30.748
14h
Arrow Electronics
3
IRF7469TRPBF17961
Flip ElectronicsIRF7469TRPBF1514
>1wk

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF7469TRPBF.

IHS

Datasheet9 pagine21 anni fa
Datasheet8 pagine21 anni fa

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Supply Chain

Country of OriginMainland China, Philippines, Thailand, Usa
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Parti correlate

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Dettagli
onsemiFDS8880
TRANSISTOR, SINGLE, N-CHANNEL, POWERTRENCH MOSFET, 30V, 11.6A, SOIC8
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRF7469TRPBF fornite dai suoi distributori.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 9A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 40 V 21 mOhm 23 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
Win Source
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Surface Mount
Avnet
MOSFET, N-CH, 40V, 9A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.012ohm; Rds(; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Infineon
Mosfet, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:9A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:2.5W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF7469TRPBF.
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Immagini

Infineon
TME
Newark
element14 APAC
LZChips
International Rectifier
iiiC
Future Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRF7469TRPBF.
  • SP001559908