Infineon IRF7410TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -12V; Rds(on) 7 Milliohms; Id -16A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-8V
$ 0.44
Obsolete
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF7410TRPBF.

Farnell

Datasheet9 pagine17 anni fa

IHS

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-3.46%

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Parti alternative

Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.44
$ 0.351
Stock
1,040,733
681,966
Authorized Distributors
5
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
-12 V
-12 V
Continuous Drain Current (ID)
16 A
16 A
Threshold Voltage
900 mV
-
Rds On Max
7 mΩ
7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
8.676 nF
8.676 nF

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2025-12-31
LTD Date2026-12-31

Parti correlate

Single N-Channel 12 V 0.0053 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS6574A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 20V, 16A, 6mΩ
InfineonIRF7420PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -12V;RDS(ON) 14Milliohms;ID -11.5A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-
onsemiFDS4465
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 1.8V Specified, -20V, -13.5A, 8.5mΩ
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRF7410TRPBF fornite dai suoi distributori.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -12V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID -16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-8V
Single P-Channel 12 V 13 mOhm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
2.5W(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 91nC@ 4.5 V 1P 12V 7m¦¸@ 16A,4.5V 16A 8.676nF@10V SOIC-8 1.75mm
Trans MOSFET P-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N, 12V, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:12V; Current, Id Cont:13A; Resistance, Rds On:0.007ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:0.9V; Case Style:SOIC; ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRF7410TRPBF.
  • SP001559852