Infineon IRF6635TRPBF
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Price @ 1000
$ 4.11
Stock
440,814
364,035
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vds)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
32 A
32 A
Threshold Voltage
1.8 V
-
Rds On Max
1.8 mΩ
1.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.8 W
89 W
Input Capacitance
5.97 nF
5.97 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-07-04
LTD Date2008-12-30
Parti correlate
STMicroelectronicsSTL150N3LLH5
N-channel 30 V, 0.0014 Ohm typ., 35 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF6635TRPBF fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Target Applications: eFuse; HotSwap; MultiPhase SyncFET; ORing
DirectFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 180 amperes., MG-WDSON-5, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET "N-Channel 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX"
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:25A; On Resistance, Rds(on):1.8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DirectFET MX ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating32 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time8.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.97 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation89 W
Manufacturer Package IdentifierMG-WDSON-5
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.8 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max1.8 mΩ
Resistance1.8 MΩ
Rise Time13 ns
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height700 µm
Length6.35 mm
Width5.05 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità