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Infineon IRF520NSTRLPBF

Single N-Channel 100 V 0.2 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 1.02
Obsolete
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet11 pagine21 anni fa

element14 APAC

Newark

Burklin Elektronik

International Rectifier

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-100%

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Parti alternative

Questo componente
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Price @ 1000
$ 1.02
$ 1.13
Stock
316,444
56,947
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
9.7 A
9.7 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
200 mΩ
200 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.8 W
3.8 W
Input Capacitance
330 pF
330 pF

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28

Parti correlate

InfineonIRF520NSPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRL520NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.18Ohm;ID 10A;D2Pak;PD 48W;VGS +/-16V;-55d
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
onsemiNTB13N10G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Single N-Channel 100 V 77 mOhms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRF520NSTRLPBF fornite dai suoi distributori.

Single N-Channel 100 V 0.2 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 100 V, 9.7 A, TO-252-3, IRF520NSTRLPBF
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, N-CH, 100V, 9.7A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9.7A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRF520NS
  • SP001551098