Infineon IRF3205ZSPBF
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1,570,488
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1
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
-
-
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
170 W
170 W
Input Capacitance
3.45 nF
3.45 nF
3.45 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2014-10-25
LTD Date2015-04-25
Parti correlate
InfineonIRF1010NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB80NF55-06T4
STMicroelectronics N-Channel MOSFET, Vds=55V, 80A, D2PAK (TO-263), SMD, 3-Pin
InfineonIRF1405ZSPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB85NF55T4
STB85NF55T4 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 55 V, 3-Pin D2PAK
STMicroelectronicsSTB80NF55-08T4
N-channel 55 V, 0.0065 Ohm typ., 80 A STripFET Power MOSFET in a D2PAK package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF3205ZSPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.9 Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 170W;VGS +/-20
Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 170 W
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, 55V, 110A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):6.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:170W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:75A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.9°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:6.5mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:170W; Power Dissipation Pd:170W; Pulse Current Idm:440A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time67 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.45 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation170 W
Rds On Max6.5 mΩ
Recovery Time42 ns
Resistance6.5 mΩ
Rise Time95 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità