Infineon IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
$ 0.713
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
NewarkIPI086N10N3GXKSA11111
Arrow ElectronicsIPI086N10N3GXKSA11751
Future Electronics
2
IPI086N10N3GXKSA13500500Tube
Rochester ElectronicsIPI086N10N3GXKSA1465
20m
DigiKeyIPI086N10N3GXKSA1-ND281Tube

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPI086N10N3GXKSA1.

IHS

Datasheet12 pagine12 anni fa

Factory Futures

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+18.88%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IPI086N10N3GXKSA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Parti correlate

InfineonIRF3710ZLPBF
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
Dettagli
InfineonIRFSL4510PBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Dettagli
onsemiFDI150N10
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V, 57A, 16mΩ
Dettagli
InfineonIRFSL3607PBF
Single N-Channel 75 V 9 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Dettagli
InfineonIRF1407LPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPI086N10N3GXKSA1 fornite dai suoi distributori.

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Verical
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-262, Through Hole
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Semicontronic
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
Mosfet, N-Ch, 100V, 80A, To-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0074Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPI086N10N3GXKSA1
Newark

Immagini

Augswan
element14 APAC
RS APAC
TME
Future Electronics
iiiC
Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPI086N10N3 G
  • IPI086N10N3G
  • SP000683070