onsemi FDI150N10
$ 1.366
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FDI150N10 | 0 | 200 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FDI150N10 | 0 | 200 | Bulk | ||||||||
| Future Electronics | FDI150N10 | 0 | 800 | Tube | ||||||||
| Master Electronics | FDI150N10 | 0 | 200 | |||||||||
| Avnet | FDI150N10 | 0 | 800 | 5d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -84.08%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDI150N10.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-10-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDI150N10 fornite dai suoi distributori.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V, 57A, 16mΩ
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Rail
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 57 A, 16 mΩ
110W(Tc) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 69nC@ 10V 1N 100V 16m¦¸@ 49A,10V 57A 4.76nF@25V I2PAK 10.29mm*4.83mm*7.88mm
Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
100V 57A 12m´Î@10V49A 110W 4.5V@250uA 140pF@25V N Channel 3.58nF@25V 53nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) I2-PAK MOSFETs ROHS
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -84.08%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.084 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)57 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time83 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.76 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingRail/Tube
Power Dissipation110 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time164 ns
Turn-Off Delay Time86 ns
Turn-On Delay Time47 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDI150N10.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità