Infineon IPD78CN10NGATMA1
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Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.34%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginGermany, Malaysia, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2016-04-30
LTD Date2016-10-31
Parti correlate
InfineonIRFR3910TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.115Ohm;ID 16A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
InfineonIRFR3910TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.115Ohm;ID 16A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
Diodes Inc.DMN10H170SK3-13
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; 0.16ohm; 17W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPD78CN10NGATMA1 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
MOSFET, N CH, 13A, 100V, PG-TO252-3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):59mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; Current Id Max:13A; Power Dissipation Pd:31W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.34%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Resistance78 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance538 pF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance78 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation31 W
Rds On Max78 mΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità