Infineon IPD65R380E6ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 0.779
NRND
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPD65R380E6ATMA1.

IHS

Datasheet17 pagine15 anni fa
Datasheet17 pagine0 anni fa

Upverter

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-1.76%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IPD65R380E6ATMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.779
$ 0.782
Stock
308,074
420,573
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-252-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
10.6 A
10.6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
380 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
83 W
83 W
Input Capacitance
710 pF
-

Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-08
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)

Parti correlate

STMicroelectronicsSTD16N50M2
N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
STMicroelectronicsSTD16N65M2
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) TO-252
83W(Tc) 20V 3.5V@ 320¦ÌA 32nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 3.8A,10V 10.6A 700pF@100V DPAK 2.56mm
STMicroelectronicsSTD11NM65N
N-channel 650 V, 0.425 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPD65R380E6ATMA1 fornite dai suoi distributori.

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
CoolMOS™ E6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 650V, 10.6A, To-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.34Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD65R380E6ATMA1
CoolMOS™ E6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease-of-use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ E6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ E6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPD65R380E6
  • SP001117736