Infineon IPD60R380C6ATMA1

83W 20V 3.5V 32NC@ 10V 1N 600V 380M¦¸@ 10V 10.6A 700PF@ 100V TO-252 , 6.5MM*6.22MM*2.3MM
$ 0.828
NRND
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPD60R380C6ATMA1.

Infineon SCT

Datasheet19 pagine11 anni fa

Upverter

IHS

Farnell

_legacy Avnet

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+2.91%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IPD60R380C6ATMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-08-31
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2015-09-15
LTD Date2015-12-15

Parti correlate

Trans MOSFET N-CH 650V 9.1A 3-Pin TO-252 T/R
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / CoolMOS Power Transistor
STMicroelectronicsSTD15N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD16N50M2
N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD16N65M2
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPD60R380C6ATMA1 fornite dai suoi distributori.

83W 20V 3.5V 32nC@ 10V 1N 600V 380m¦¸@ 10V 10.6A 700pF@ 100V TO-252 , 6.5mm*6.22mm*2.3mm
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET,N CH,600V,10.6A,TO252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10.6A; Power Dissipation Pd:83W; Voltage Vgs Max:30V
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ C6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ C6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPD60R380C6
  • IPD60R380C6BTMA1
  • SP000660628
  • SP001117716