Infineon IPD50R2K0CEAUMA1

Name: Infineon IPD50R2K0CEAUMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD50R2K0CEAUMA1

Transistor Mosfet N-ch 500V 3.6A 3-PIN TO-252 T/r

$ 0.214

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPD50R2K0CEAUMA1	2086	5	Cut Tape		0,471	0,307	0,209	0,209
Arrow Electronics	2	IPD50R2K0CEAUMA1	2327	1		0,505	0,505	0,505	0,505	0,505
Rutronik		TMOS1970	2500	2500						0,167	3h
DigiKey	3	448-IPD50R2K0CEAUMA1CT-ND	16.942	1	Cut Tape	0,800	0,494	0,318	0,218	0,218
Avnet		IPD50R2K0CEAUMA1	0	2500						0,131	2d

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IHS

Datasheet14 pagine0 anni fa

Infineon

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InfineonIPD50R2K0CEAUMA1

InfineonIPD50R2K0CEBTMA1

Price @ 1000

$ 0.214

$ 1.01

Stock

558,692

45,525

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-252-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

500 V

Continuous Drain Current (ID)

3.6 A

2.4 A

Threshold Voltage

Rds On Max

2 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

30 V

Power Dissipation

19 W

Input Capacitance

124 pF

Supply Chain

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-12-05

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

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Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPD50R2K0CEAUMA1 fornite dai suoi distributori.

Transistor MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin TO-252 T/R

EBV Elektronik

Mosfet, N-Ch, 500V, 3.6A, 150Deg C, 33W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50R2K0CEAUMA1

Newark

500V 3.6A 1.8惟@13V,600mA 33W 3V@50uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS

Fmall Co., Limited

Infineon NMOS 500V CoolMOS CE, Vds=500 V, 2.2 A, DPAK (TO-252), , 3

UnikeyIC

N-CH 500V 3,6A 2000mOhm TO252-3

Rutronik

Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

Infineon MOSFET IPD50R2K0CEAUMA1

RS APAC

MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252

Jak Electronics

IPD50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANN

DigiKey Marketplace

500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

Infineon

Immagini

Farnell

RS APAC

Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

IPD50R2K0CE
SP001396820

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Parti alternative

1 parte disponibile

Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.6 A

Drain to Source Breakdown Voltage500 V

Drain to Source Resistance2 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)500 V

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance124 pF

Max Dual Supply Voltage500 V

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation22 W

Min Breakdown Voltage500 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance2 Ω

Package Quantity2500

PackagingTape & Reel

Power Dissipation19 W

Rds On Max2 Ω

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time21 ns

Turn-On Delay Time6 ns

Dimensions

Height2.55 mm

Schede tecniche e documenti

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Datasheet14 pagine0 anni fa

Infineon

Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSNon-Compliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeContains Lead, Lead Free

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Conflict Mineral StatementN/AN/A