Infineon IPD60R1K5CEATMA1
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Obsolete
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1 parte disponibile
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
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Stock
71,634
703,469
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
5 A
5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
1.5 Ω
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
49 W
28 W
Input Capacitance
200 pF
-
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-03-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Parti correlate
InfineonIPD60R1K4C6ATMA1
28.4W(Tc) 20V 3.5V@ 90¦ÌA 9.4nC@ 10 V 1N 600V 1.4¦¸@ 1.1A,10V 3.2A 200pF@100V TO-252 2.56mm
VishaySIHD3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK / N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPD60R1K5CEATMA1 fornite dai suoi distributori.
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 0.047uF 25volt X7R +/-5%
N-Channel 600 V 3.1 A 1500 mO 9.4 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
Trans MOSFET N-CH 650V 3.1A 3-Pin TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance200 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation49 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation49 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height2.55 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità