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Infineon IPB65R110CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
$ 2.975
Production
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Newark
IPB65R110CFDAATMA1
944
1
Cut Tape
USD
7,030
4,540
3,460
3,040
3,040
Arrow Electronics
2
IPB65R110CFDAATMA1
959
1
USD
5,823
4,307
3,272
3,272
3,272
DigiKey
3
IPB65R110CFDAATMA1CT-ND
1692
1
Cut Tape
USD
8,060
5,420
3,924
3,286
3,286
Avnet
IPB65R110CFDAATMA1
0
1K
USD
2,943
2,641
20h
Future Electronics
2
IPB65R110CFDAATMA1
0
1K
Tape & Reel
USD
2,990
2,950

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPB65R110CFDAATMA1.

IHS

Datasheet16 pagine14 anni fa

Cronologia dell'inventario

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
InfineonIPB65R110CFDAATMA1
InfineonIPB65R110CFDATMA1
Price @ 1000
$ 2.975
$ 3.06
Stock
931,004
2,561,996
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
110 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
277.8 W
-
Input Capacitance
3.24 nF
-

Supply Chain

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Parti correlate

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Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPB65R110CFDAATMA1 fornite dai suoi distributori.

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
N-Channel 650 V 31.2 A 277.8 W 110 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TO-263-3
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.
Infineon
Mosfet, N-Ch, 650V, 31.2A, 0.2778W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:31.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB65R110CFDAATMA1
Newark

Immagini

TME
RS
Newark
Farnell

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPB65R110CFDA
  • SP000896402