Vishay SIHB22N65E-GE3
$ 2.531
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | SIHB22N65E-GE3 | 0 | 1 | 6h | ||||||||
| Avnet | SIHB22N65E-GE3 | 0 | 1K | 1d | ||||||||
| TTI Europe | SIHB22N65E-GE3 | 0 | 1K | Tube | 2d | |||||||
| Arrow Electronics | SIHB22N65E-GE3 | 0 | 1K | |||||||||
| Farnell | SIHB22N65E-GE3 | 0 | 1 | 7h |
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
InfineonSPB17N80C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17 A, 290 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
InfineonIPB50R140CPATMA1
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
VishaySIHB6N65E-GE3
Single N-Channel 700 V 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIHB22N65E-GE3 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CH SINGLE 650V TO263
N-CHANNEL 650V
MOSFET, N CH, 650V, 22A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 22A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Powe
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)4 V
Input Capacitance2.415 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation227 W
Rds On Max180 mΩ
Rise Time33 ns
Turn-Off Delay Time73 ns
Schede tecniche e documenti
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