Infineon IKB20N60TAATMA1
$ 1.36
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IKB20N60TAATMA1 | 194 | 13h | |||||||||
| Worldway Electronics | IKB20N60TAATMA1 | 8485 | 7 | Tape & Reel | 8h | |||||||
| Fmall Co., Limited | IKB20N60TAATMA1 | 35.030 | >1wk | |||||||||
| Aztech | IKB20N60TAATMA1 | 11.722 | 8h | |||||||||
| UnikeyIC | IKB20N60TAATMA1 | 183 | 78 | Cut Tape | 15h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.29%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IKB20N60TAATMA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 1.36
$ 2.429
Stock
62,139
86,664
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-263-3
D2PAK
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
600 V
Max Collector Current
40 A
40 A
Power Dissipation
166 W
156 W
Collector Emitter Saturation Voltage
2.05 V
2.05 V
Reverse Recovery Time
41 ns
-
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-03-31
LTD Date2024-03-31
Parti correlate
onsemiFGB20N60SFD-F085
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 208000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
onsemiFGB20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
InfineonIRG4BC30FD-SPBF
Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with a hyperfast 1-8 kHz diode, D2PAKCOPAK, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IKB20N60TAATMA1 fornite dai suoi distributori.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
0402 1.8 pF 50 V ±0.05 pF Tolerance C0G SMT Multilayer Ceramic Capacitor
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
156W 1.5V 600V 40A TO-263 10.31mm*9.45mm*4.57mm
IKB20N60TA - 600V LOW LOSS SWITC
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.29%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.05 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current41 A
Max Collector Current40 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation166 W
Reverse Recovery Time41 ns
Turn-Off Delay Time199 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IKB20N60TAATMA1.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità