onsemi FGB20N6S2D
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Schede tecniche e documenti
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Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FGB20N6S2D fornite dai suoi distributori.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Tube Surface Mount N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE IGBT Transistor 2.7V @ 15V 7A 28A 125W 31ns
TO-263AB, COMP, N-CH, 600V SMPS II IGBT W/STEALTH DIODE
IGBT 600V 28A 125W TO263AB
IGBTs Comp, N-Ch, 600V
N-CHANNEL IGBT
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating28 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time105 ns
Max Collector Current28 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Reverse Recovery Time31 ns
Rise Time4.5 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità