Infineon IGP30N65H5XKSA1

Name: Infineon IGP30N65H5XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IGP30N65H5XKSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

$ 0.979

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Distributor		SKU		Min
Rochester Electronics		IGP30N65H5XKSA1	7340				1,180	0,979	0,873	12h
Avnet		IGP30N65H5XKSA1	0	500						4d
Farnell		IGP30N65H5XKSA1	0	500				0,994*	0,994*	12h
Verical	3	IGP30N65H5XKSA1	280	255				1,224	1,092
Component Stockers USA		IGP30N65H5XKSA1	4894		2,310	2,310	1,630	1,290	1,290	7d

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Datasheet14 pagine0 anni fa

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Supply Chain

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-06-11

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2026-03-15

LTD Date2026-09-15

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Descrizioni

Descrizioni di Infineon IGP30N65H5XKSA1 fornite dai suoi distributori.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Verical

188W 1.65V 650V 55mA TO-220 , 10mm*440cm*9.25mm

UnikeyIC

IGP40N65 - DISCRETE IGBT WITHOUT

DigiKey Marketplace

Infineon’s new TRENCHSTOP™5 IGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.

Infineon

Igbt, Single, 650V, 55A, To-220; Dc Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.65V; Power Dissipation Pd:188W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:To-220; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Infineon IGP30N65H5XKSA1

Newark

Immagini

Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: