Infineon BSO110N03MSGXUMA1

Name: Infineon BSO110N03MSGXUMA1
Brand: Infineon
SKU: BSO110N03MSGXUMA1

2.5W 20V 7.2NC@ 4.5V, 15NC@ 10V 1N 30V 11M¦¸@ 10V 1.1NF@ 15V SOIC-8 , 4.9MM*3.9MM*1.75MM

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		BSO110N03MSGXUMA1	37	1		0,228	0,222	0,214	0,214	0,214
Rochester Electronics		BSO110N03MSGXUMA1	11.532					0,319	0,265	0,236	18h
DigiKey	2	BSO110N03MSGXUMA1CT-ND	176	1	Cut Tape	1,200	0,750	0,492	0,492	0,492
Avnet		BSO110N03MSGXUMA1	0	2500						0,215	4d
Farnell	3	BSO110N03MSGXUMA1	5279	5	Cut Tape		1,179*	0,483*	0,325*	0,325*	18h

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1 parte disponibile

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IHS

Datasheet9 pagine15 anni fa

element14 APAC

Burklin Elektronik

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InfineonBSO110N03MSGXUMA1

onsemiNTMS4916NR2G

Price @ 1000

$ 0.295

$ 0.35

Stock

343,680

288,350

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

10 A

7.8 A

Threshold Voltage

Rds On Max

11 mΩ

9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

1.56 W

1.3 W

Input Capacitance

1.1 nF

1.376 nF

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-07-08

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-09-30

LTD Date2026-03-31

Parti correlate

Diodes Inc.DMG4406LSS-13

Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8

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Diodes Inc.DMS3015SSS-13

N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8

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InfineonIRF7811AVTRPBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 10.8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20

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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 11A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V

Dettagli

Diodes Inc.DMG4407SSS-13

1.45W(Ta) 25V 3V@ 250¦ÌA 20.5nC@ 10 V 1P 30V 11m¦¸@ 12A,20V 9.9A 2.246nF@15V SOIC-8 1.75mm

Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSO110N03MSGXUMA1 fornite dai suoi distributori.

2.5W 20V 7.2nC@ 4.5V,15nC@ 10V 1N 30V 11m¦¸@ 10V 1.1nF@ 15V SOIC-8 , 4.9mm*3.9mm*1.75mm

Unikeyic (ICkey)

Mosfet Transistor, N Channel, 10 A, 30 V, 0.0092 Ohm, 10 V, 2 V

Future Electronics

MOSFET, N-CH, 30V, 10A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0092ohm; R; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

Infineon

Immagini

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

BSO110N03MS G
BSO110N03MSG
SP000446062

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -0.26%

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Parti alternative

1 parte disponibile

Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageSO

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)10 A

Drain to Source Resistance13.9 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Fall Time4.4 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.1 nF

Max Dual Supply Voltage30 V

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.56 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

On-State Resistance11 mΩ

Package Quantity2500

PackagingTape & Reel

Power Dissipation1.56 W

Rds On Max11 mΩ

Rise Time4.4 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time9.5 ns

Turn-On Delay Time7.8 ns

Schede tecniche e documenti

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IHS

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Burklin Elektronik

Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSCompliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Conflict Mineral StatementN/AN/A