Infineon BSD235CH6327XTSA1
$ 0.117
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BSD235CH6327XTSA1 | 102.000 | 3K | 3d | ||||||||
| Newark | BSD235CH6327XTSA1 | 11.900 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | BSD235CH6327XTSA1 | 35.867 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | BSD235CH6327XTSA1 | 9000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | BSD235CH6327XTSA1CT-ND | 21.898 | 1 | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -27.34%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BSD235CH6327XTSA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.117
$ 0.116
Stock
3,998,607
203,992
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-363
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-
Continuous Drain Current (ID)
950 mA
1 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
350 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
-
Power Dissipation
500 mW
-
Input Capacitance
47 pF
-
Supply Chain
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMC3400SDW-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
InfineonBSD214SNH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1
onsemiNTJD2152PT1G
Small Signal MOSFET 8V 775mA 300 mOhm Dual P-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363 with ESD Protection
Descrizioni
Descrizioni di Infineon BSD235CH6327XTSA1 fornite dai suoi distributori.
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
MOSFET Devices; INFINEON; BSD235CH6327XTSA1; -20 V; 530 mA; 12 V; 500 mW
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.95A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N & P CH, 20V, 0.95A, SOT-363-6; Transistor Polarity:N and P Complement; Continuous Drain Current Id:950mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.266ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold V
500mW 12V 1.2V@ N Channel,600mV@ P Channel 0.34nC@ 4.5V @ NChannel,0.4nC@ 4.5V @ PChannel 1N,1P 20V 350m¦¸@ 4.5V @ N Channel,1.2¦¸@ 4.5V @ P Channelm¦¸ 47pF@ 10V @ N Channel,37pF@ 10V @ P Channel SOT-363-6 2.9mm*1.3mm*1.1mm
Complementary power MOSFETs - an n-channel and a p-channel power MOSFET within the same package - are part of Infineon’s famous low voltage OptiMOS™ families, the market leader in high efficiency solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -27.34%
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)950 mA
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance47 pF
Max Dual Supply Voltage-20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
On-State Resistance350 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation500 mW
Rds On Max350 mΩ
Schedule B8541210080
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità