Infineon BSD223PH6327XTSA1

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R
$ 0.076
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
12AC945080.3141
3d
Newark
2
BSD223PH6327XTSA180.3141Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSD223PH6327XTSA122.1501
RutronikTMOSS655415.0003K
21h
Rochester ElectronicsBSD223PH6327XTSA11480
14h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BSD223PH6327XTSA1.

IHS

Datasheet9 pagine23 anni fa

iiiC

DigiKey

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+20.26%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon BSD223PH6327XTSA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
Impronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2002-07-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2007-09-30
LTD Date2008-03-31

Parti correlate

Diodes Inc.DMP2004DWK-7
Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363
Dettagli
Diodes Inc.DMC3400SDW-13
Trans MOSFET N/P-CH 30V/30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
Dettagli
Diodes Inc.DMC3400SDW-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
Dettagli
InfineonBSD235CH6327XTSA1
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
Dettagli
InfineonBSD214SNH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1
Dettagli
InfineonBSV236SPH6327XTSA1
20V 1.5A 175mΩ@4.5V,1.5A 560mW 1.2V@8uA 1 Piece P-Channel SC-70-6(SOT-363) MOSFETs ROHS
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSD223PH6327XTSA1 fornite dai suoi distributori.

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R
EBV Elektronik
Dual P-Channel -20 V 1.2 Ohm -0.39 A OptiMOS Small-Signal-Transistor-PG-SOT363-6
Future Electronics
OPTIMOS-P SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 0.39A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
Mosfet, P-Ch, 20V, 0.39A, 150Deg C/0.25W; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:390Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:900Mv Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD223PH6327XTSA1
Newark
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Infineon

Immagini

Augswan
Farnell
Farnell
Future Electronics
TME
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSD 223P
  • BSD 223P H6327
  • BSD223P
  • BSD223P H6327
  • BSD223P-H6327
  • BSD223PH6327
  • SP000924074