Infineon BFR193WH6327XTSA1
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Stock
866,403
229,865
Authorized Distributors
6
1
Collector Emitter Breakdown Voltage
12 V
12 V
Continuous Collector Current
-
-
Collector Base Voltage (VCBO)
20 V
20 V
Frequency
8 GHz
8 GHz
Max Power Dissipation
580 mW
580 mW
Transition Frequency
8 GHz
8 GHz
Case/Package
SOT
SOT-323
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Polarity
NPN
NPN
Gain Bandwidth Product
-
-
Supply Chain
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2015-02-28
LTD Date2015-08-31
Parti correlate
ROHM2SCR523EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SCR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Infineon BFR193WH6327XTSA1 fornite dai suoi distributori.
12V 580mW 80mA 100@30mA8V 8GHz +150¡Í@(Tj) SOT-323(SC-70) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Infineon BFR193WH6327 NPN RF Bipolar Transistor, 0.08 A, 12 V, 3-Pin SOT-323
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
NPN 580mW 2V 100nA 20V 12V 80mA SOT-323 2mm*1.25mm*900¦Ìm
NPN RF-Trans. 12V 80mA SOT323 RoHSconf
Infineon RF Bip Transisitor BFR 193W H63
RF Small Signal Bipolar Transistor
BFR193 - HIGH LINEARITY SI- AND
INFINEON TECH ICS BFR193WH6327
RF BIP TRANSISTORS PG-SOT323-3
Rf Transistor, Npn, 12V, 8Ghz, Sot-323; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:12V; Transition Frequency Ft:8Ghz; Power Dissipation Pd:580Mw; Dc Collector Current:80Ma; Dc Current Gain Hfe:70Hfe; Rf Transistor Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BFR193WH6327XTSA1
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Frequency8 GHz
Gain16 dB
hFE Min70
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current80 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation580 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Noise Figure1.3 dB
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation580 mW
Power Gain16 dB
Transition Frequency8 GHz
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità