ROHM 2SCR502EBTL
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +22.18%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Parti correlate
ROHM2SAR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SCR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SCR523EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SAR523EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SAR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di ROHM 2SCR502EBTL fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F / Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 360MHz 150 mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 3-Pin SOT-416FL T/R
300mV@ 10mA,200mA NPN 150mW 6V 200nA 30V 30V 500mA SC-89 SMD mount 800μm(height)
TRANS, NPN, 30V, 0.5A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 360MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 200hFE;
Alias del produttore
ROHM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. ROHM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +22.18%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product360 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Transition Frequency360 MHz
Schede tecniche e documenti
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