Infineon AUIRLR2905

Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
$ 3.46
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon AUIRLR2905.

IHS

Datasheet11 pagine10 anni fa
Datasheet11 pagine13 anni fa

element14 APAC

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon AUIRLR2905, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
SnapEDA
Impronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 3.46
$ 0.575
Stock
94,739
1,272,242
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
20 A
Threshold Voltage
1 V
2 V
Rds On Max
27 mΩ
27 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
110 W
69 W
Input Capacitance
1.7 nF
1.7 nF

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-01-31
LTD Date2021-07-31

Parti correlate

InfineonIRLR2905PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 13mΩ
onsemiFDD5680
N-Channel 60 V 21 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 50A, 13.5mΩ

Descrizioni

Descrizioni di Infineon AUIRLR2905 fornite dai suoi distributori.

Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET,W DIODE,N CH,55V,42A,DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Voltage Vgs Max:16V
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFAUIRLR2905
  • SP001516026