Infineon AUIRF3205Z
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Obsolete
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 2.81
$ 0.769
Stock
610,646
850,669
Authorized Distributors
3
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
170 W
Input Capacitance
3.45 nF
3.45 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
InfineonIRF3205ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.9Milliohms;ID 110A;TO-220AB;PD 170W;-55de
InfineonIRL3705NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.01Ohm;ID 89A;TO-220AB;PD 170W;VGS +/-16V
InfineonAUIRF1010EZ
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon AUIRF3205Z fornite dai suoi distributori.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET,N CH,55V,75A,TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0049ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:170W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Power Dissipation Pd:170W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; Electric Power Steering
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time67 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation170 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time95 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità