Diodes Inc. ZXMHC6A07T8TA
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMHC10A07T8TA
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 100V, 1A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMHC10A07T8TA
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXMHC6A07T8TA fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R / MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SM-8 Polarity: N/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.7 W
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.3ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N & P CHANNEL MOSFET, -60V, SM-8; Transistor Polarity:N & P Channel; Continuous Drain Current, Id:1.8A; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, BRIDGE, SM8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:1.8A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:1.7W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SM; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id P Channel:1.5A; Current Id Max:1.8A; Current Temperature:25°C; No. of Transistors:4; On State Resistance N Channel Max:1.8ohm; On State Resistance P Channel Max:1.5ohm; Package / Case:SM-8; Power Dissipation Pd:1.7W; Power Dissipation Pd:1.7W; Pulse Current Idm:8.7A; SMD Marking:ZXMHC6A07; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds N Channel:10V; Voltage Vgs Rds P Channel:10V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1V; Voltage Vgs th N Channel 1 Min:1V; Voltage Vgs th P Channel Min:1V
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.86%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223-8
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.6 A
Current Rating1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time5.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance166 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels4
Number of Elements4
Output Current2.2 A
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max300 mΩ
Resistance425 mΩ
Rise Time2.3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time1.6 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.6 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità