Diodes Inc. ZXMHC3A01T8TA
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-06
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMHC6A07T8TA
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R / MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Diodes Inc.ZXMHC10A07T8TA
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 100V, 1A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMHC10A07T8TA
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXMHC3A01T8TA fornite dai suoi distributori.
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE, 1.3 W, RoHS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.12ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, COMP, H/BRIDE, 30V, SO8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Continuous Drain Current Id, N Channel:3.1A; Continuous Drain Current Id, P Channel:-2.3A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-30V; Module Configuration:Half Bridge; On Resistance Rds(on), N Channel:0.12ohm; On Resistance Rds(on), P Channel:0.21ohm
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223-8
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Current Rating3.1 A
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time2.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance190 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels4
Number of Elements4
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max120 mΩ
Resistance210 mΩ
Rise Time2.3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time12.1 ns
Dimensions
Height1.6 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità