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0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. ZDM4306NTA.
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMHC6A07T8TA
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R / MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Diodes Inc.ZXMHC10A07T8TA
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 100V, 1A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMHC10A07T8TA
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZDM4306NTA fornite dai suoi distributori.
MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
SM-8 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3V@1mA 2N 60V 330m¦¸@ 3A,10V 2A 350pF@25V
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Nessun dato disponibile
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223-8
MountSurface Mount
Number of Terminals10
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Current Rating1.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance330 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation3 W
Rds On Max330 mΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Schede tecniche e documenti
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